用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩 ; 潘教青
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 55期号:3页码:1259-1263 |
| 中文摘要 | 采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能 |
| 英文摘要 | 采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:24导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4308.pdf: 302116 bytes, checksum: 74a79a1ead211344d5de344c45995ef5 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16703]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩,潘教青. 用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源[J]. 物理学报,2006,55(3):1259-1263. |
| APA | 王圩,&潘教青.(2006).用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源.物理学报,55(3),1259-1263. |
| MLA | 王圩,et al."用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源".物理学报 55.3(2006):1259-1263. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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