半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许兴胜
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 55期号:3页码:1248-1252 |
| 中文摘要 | 利用聚焦离子束刻蚀方法和电子柬制版结合干法刻蚀方法制备了二维近红外波段光子晶体，发现两种方法都可以制备出均匀的二维光子晶体，聚焦离子束方法操作简单，电子束制版结合干法刻蚀方法操作步骤复杂．光谱测试表明，利用聚焦离子束方法在有源材料上刻蚀的光子晶体不发光，而电子束制版结合干法刻蚀方法制备的小晶格常数光子晶体即使有些无序，其出光效率也提高到没有光子晶体时的两倍．对两种方法所加工的光子晶体不发光和提高出光效率的机理进行了分析． |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16705]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许兴胜. 半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性[J]. 物理学报,2006,55(3):1248-1252. |
| APA | 许兴胜.(2006).半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性.物理学报,55(3),1248-1252. |
| MLA | 许兴胜."半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性".物理学报 55.3(2006):1248-1252. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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