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化学气相传输法生长ZnO单晶
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏学成
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:2页码:336-339 |
| 中文摘要 | 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶．通过控制源区和生长端的温度梯度，使用碳辅助增强质量传尊挚应，在无籽晶自发成核的条件下，得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体．利用长有GaN层的蓝宝石号片待为籽晶，得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体．用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析． |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16727]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏学成. 化学气相传输法生长ZnO单晶[J]. 半导体学报,2006,27(2):336-339. |
| APA | 魏学成.(2006).化学气相传输法生长ZnO单晶.半导体学报,27(2),336-339. |
| MLA | 魏学成."化学气相传输法生长ZnO单晶".半导体学报 27.2(2006):336-339. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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