掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋淑芳 ; 陈维德 ; 张春光 ; 卞留芳 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:513-516 |
| 中文摘要 | 利用背散射／沟道（RBS／C）技术、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS／C结果表明，注入Pr后，在注入层引入了晶格损伤；注入样品经1050℃退火后，部分损伤得到恢复，但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明，注入Pr后，表面凹凸不平，而且在注入区引起了膨胀，膨胀幅度达到23．368nm左右。PL结果表明，在850—1050℃退火，发光强度按e指数增加；当退火温度达到1050℃，发光强度最强，经过数据拟合可得Pr^3＋的热激活能为5．8eV。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16757]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋淑芳,陈维德,张春光,等. 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光[J]. 发光学报,2005,26(4):513-516. |
| APA | 宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,&许振嘉.(2005).掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光.发光学报,26(4),513-516. |
| MLA | 宋淑芳,et al."掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光".发光学报 26.4(2005):513-516. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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