GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川 ; 江德生
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:507-512 |
| 中文摘要 | 嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。 |
| 英文摘要 | 嵌入GaAs中的GaAsSb／GaInAs量子阱因其在1．3～1．5μm光通信波段发光的潜力而受到关注，我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb／GaInAs量子阱样品的光致发光，发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1．3μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰。变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现，高能峰只有在150K以上的测试条件下才能观测到，并且其相对强度随着温度的升高而增加，其调制光谱显示出第一类跃迁的特征。他们建立了理论模型，计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁，并与实验数据吻合得很好。同时初步讨论了改善1．3μm的低能峰发光的方法。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4336.pdf: 285178 bytes, checksum: e2186eddee9fe5dd0183b3b805fd0b40 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16759]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,江德生. GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光[J]. 发光学报,2005,26(4):507-512. |
| APA | 牛智川,&江德生.(2005).GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光.发光学报,26(4),507-512. |
| MLA | 牛智川,et al."GaAs基GaAsSb／GaInAs双层量子阱的发光".发光学报 26.4(2005):507-512. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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