AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡海蓉 ; 牛萍娟 ; 胡海洋 ; 郭维廉 |
| 刊名 | 河北工业大学学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:6页码:87-90 |
| 中文摘要 | 分析了A1GaAs／GaAsHBT的原理和材料结构，详细介绍了AlGaAs／GaAsHBT的器件结构及工艺流程，并对两方面进行了优化，研制出了特性较好的AlGaAs／GaAsHBT，其电流放大系数达到180，是目前国内报道的最高水平；开启电压小于0.3V． |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 天津市高等学校科技发展基金资助,天津市应用基础研究重点项目资助 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16833]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡海蓉,牛萍娟,胡海洋,等. AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制[J]. 河北工业大学学报,2005,34(6):87-90. |
| APA | 胡海蓉,牛萍娟,胡海洋,&郭维廉.(2005).AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制.河北工业大学学报,34(6),87-90. |
| MLA | 胡海蓉,et al."AlGaAs／GaAsHBT的设计与研制".河北工业大学学报 34.6(2005):87-90. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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