慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭成晓 ; 翁惠民 ; 杨晓杰 ; 叶邦角 ; 周先意 ; 韩荣典 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 28期号:11页码:841-844 |
| 中文摘要 | 利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷（Vo,VZn）随混合气体中O2比例（PO2）的变化关系.结果表明 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16845]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭成晓,翁惠民,杨晓杰,等. 慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究[J]. 核技术,2005,28(11):841-844. |
| APA | 彭成晓,翁惠民,杨晓杰,叶邦角,周先意,&韩荣典.(2005).慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究.核技术,28(11),841-844. |
| MLA | 彭成晓,et al."慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究".核技术 28.11(2005):841-844. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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