Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尚也淳 ; 刘忠立 ; 孙国胜 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 25期号:4页码:489-493 |
| 中文摘要 | 用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化，更高温度下的退火会使ρc增大。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16847]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚也淳,刘忠立,孙国胜. Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究[J]. 固体电子学研究与进展,2005,25(4):489-493. |
| APA | 尚也淳,刘忠立,&孙国胜.(2005).Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究.固体电子学研究与进展,25(4),489-493. |
| MLA | 尚也淳,et al."Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究".固体电子学研究与进展 25.4(2005):489-493. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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