带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态
文献类型：期刊论文
| 作者 | 成步文 ; 薛春来; 左玉华
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 54期号:9页码:4350-4353 |
| 中文摘要 | 从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的． |
| 英文摘要 | 从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于0．85的Si1-xGex合金材料（能带结构为类蛳结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系．基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe／Si应变状态的方法．用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe／Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4390.pdf: 329074 bytes, checksum: 6a32d5dc119e712376b11096bfe55f18 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16851]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成步文,薛春来,左玉华. 带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态[J]. 物理学报,2005,54(9):4350-4353. |
| APA | 成步文,薛春来,&左玉华.(2005).带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态.物理学报,54(9),4350-4353. |
| MLA | 成步文,et al."带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态".物理学报 54.9(2005):4350-4353. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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