MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄家乐 ; 毛陆虹 ; 陈弘达 ; 高鹏 ; 刘金彬 ; 雷晓荃 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:10页码:1995-2000 |
| 中文摘要 | 为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC0．18μmMS／RF CMOS工艺进行了流片．利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响．结果表明，利用标准MS／RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性。 |
| 英文摘要 | 为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC0．18μmMS／RF CMOS工艺进行了流片．利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响．结果表明，利用标准MS／RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4399.pdf: 484185 bytes, checksum: 18745a2478f3d9210cc8208e8f1f1474 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金; 天津大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16869]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄家乐,毛陆虹,陈弘达,等. MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器[J]. 半导体学报,2005,26(10):1995-2000. |
| APA | 黄家乐,毛陆虹,陈弘达,高鹏,刘金彬,&雷晓荃.(2005).MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器.半导体学报,26(10),1995-2000. |
| MLA | 黄家乐,et al."MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器".半导体学报 26.10(2005):1995-2000. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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