一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法
文献类型：专利
| 作者 | 封国强; 马英起; 韩建伟; 上官士鹏; 朱翔; 陈睿 |
| 发表日期 | 2015-08-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法，包括：步骤1)测量半导体器件材料被测位置的厚度d及反射率R；步骤2)利用能量计分别测量照射于被测位置一面的光能量E1和经被测位置另一面穿透的光能量E2后，计算获得经被测位置一面反射后入射至材料内的光能量E0＝E1(1-R)，和穿透至被测位置另一面反射前的光能量E＝E2/(1-R)；步骤3)利用公式E＝E0e-αd计算得到材料的吸收系数α。利用该光学测量方法能够实现材料吸收系数的现场原位测量，降低了测量成本。 |
| 公开日期 | 2016-03-01 |
| 分类号 | G01N21/17(2006.01)I |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201510524097.0 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5247]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 封国强,马英起,韩建伟,等. 一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法. 2015-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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