一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法
文献类型：专利
| 作者 | 封国强; 马英起; 韩建伟; 上官士鹏; 朱翔; 陈睿 |
| 发表日期 | 2015-08-24 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法，首先，通过聚焦的激光垂直照射置于空气中的半导体器件；垂直移动半导体器件，调节激光的聚焦平面分别移至半导体器件的上表面和下表面，使得两个表面产生的反射光通过CCD相机接收后均形成清晰的光斑成像，然后记录两个位置的高度h2和高度h1；最后，利用公式h＝n·ΔZ计算得出半导体器件的厚度h，n表示半导体器件的材料折射率，ΔZ＝h1-h2。上述光学测量方法利用光在不同材料的界面处具有较强的反射原理，测量时将聚焦光束的焦平面分别定位于被测材料的两个界面处，得出聚焦光束定位距离ΔZ，从而计算得到被测材料的厚度h，无需增加膜厚测量设备，即可实现材料厚度的现场原位测量，降低了测量成本。 |
| 公开日期 | 2016-03-01 |
| 分类号 | G01B11/06(2006.01)I |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201510523492.7 |
| 源URL | [http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/5248]  |
| 专题 | 国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 封国强,马英起,韩建伟,等. 一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法. 2015-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：国家空间科学中心
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