16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | 安俊明 ; 李健; 李健
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| 刊名 | 光学技术
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 31期号:3页码:349-350 |
| 中文摘要 | 叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0．8nm(100GHz)，解复用器的插入损耗为16．8dB，其中材料损耗为11．95dB，相邻通道串扰小于一17dB，通道插损非均匀性小于2．2dB。 |
| 英文摘要 | 叙述了一个完整的16通道硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的设计、制备及测试过程。通道间隔为0．8nm(100GHz)，解复用器的插入损耗为16．8dB，其中材料损耗为11．95dB，相邻通道串扰小于一17dB，通道插损非均匀性小于2．2dB。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:18导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4446.pdf: 250779 bytes, checksum: f2896cd34acf04aacd9e361ab1ca7482 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划,国家资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划,国家资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16935]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安俊明,李健,李健. 16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试[J]. 光学技术,2005,31(3):349-350. |
| APA | 安俊明,李健,&李健.(2005).16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试.光学技术,31(3),349-350. |
| MLA | 安俊明,et al."16×0．8nm Si基SiO2阵列波导光栅设计、制备及测试".光学技术 31.3(2005):349-350. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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