利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周炳卿 ; 刘丰珍 ; 朱美芳 ; 谷锦华 ; 周玉琴 ; 刘金龙 ; 董宝中 ; 李国华 ; 丁琨 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 54期号:5页码:2172-2175 |
| 中文摘要 | 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果. |
| 英文摘要 | 采用x射线小角散射(SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积(PE-HWCVD)技术制备的微晶硅(μc-Si:H)薄膜的微结构.实验发现,在相同晶态比的情况下,PECVD沉积的μc-Si:H薄膜微空洞体积比小,结构较致密,HWCVD沉积的μ-Si:H薄膜微空洞体积比大,结构较为疏松,PE-HWCVD沉积的μc-Si:H薄膜,由于等离子体的敲打作用,与HWCVD样品相比,微结构得到明显改善.采用HWCVD二步法和PE-HWCVD加适量Ar离子分别沉积μc-Si:H薄膜,实验表明,微结构参数得到了进一步改善.45°倾角的SAXS测量显示,不同方法制备的μc-Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性.红外光谱测量也证实了SAXS的结果.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4485.pdf: 334564 bytes, checksum: 1d2096becfee3eea30b878c619e95b27 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家基础发展规划(973)项目基金,中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室资助的课题; 中国科学院研究生院物理系;中国科学院高能物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家基础发展规划(973)项目基金,中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17013]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周炳卿,刘丰珍,朱美芳,等. 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构[J]. 物理学报,2005,54(5):2172-2175. |
| APA | 周炳卿.,刘丰珍.,朱美芳.,谷锦华.,周玉琴.,...&丁琨.(2005).利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构.物理学报,54(5),2172-2175. |
| MLA | 周炳卿,et al."利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构".物理学报 54.5(2005):2172-2175. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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