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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谷锦华 ; 周玉琴 ; 朱美芳 ; 李国华 ; 丁琨 ; 周炳卿 ; 刘丰珍 ; 刘金龙 ; 张群芳 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 54期号:4页码:1890-1894 |
| 中文摘要 | 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力,从而造成薄膜早期生长模式的差异. |
| 英文摘要 | 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力,从而造成薄膜早期生长模式的差异.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:42导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4500.pdf: 408581 bytes, checksum: 18676e9d58c409e91f641f4d3d538fc1 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划,中国科学院研究生院院长基金; 中国科学院研究生院物理系;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划,中国科学院研究生院院长基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17041]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷锦华,周玉琴,朱美芳,等. 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究[J]. 物理学报,2005,54(4):1890-1894. |
| APA | 谷锦华.,周玉琴.,朱美芳.,李国华.,丁琨.,...&张群芳.(2005).低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究.物理学报,54(4),1890-1894. |
| MLA | 谷锦华,et al."低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究".物理学报 54.4(2005):1890-1894. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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