纳米硅薄膜光学性质的测定与研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟立志 ; 张维佳 ; 崔敏 ; 吴小文 ; 李国华 ; 丁琨 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:327-329 |
| 中文摘要 | 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势. |
| 英文摘要 | 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4505.pdf: 267665 bytes, checksum: 487d0da5643b7415bfbc6ab039bd1dd3 (MD5) Previous issue date: 2005; 北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17051]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟立志,张维佳,崔敏,等. 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究[J]. 半导体光电,2005,26(4):327-329. |
| APA | 钟立志,张维佳,崔敏,吴小文,李国华,&丁琨.(2005).纳米硅薄膜光学性质的测定与研究.半导体光电,26(4),327-329. |
| MLA | 钟立志,et al."纳米硅薄膜光学性质的测定与研究".半导体光电 26.4(2005):327-329. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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