采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈晓娟 ; 刘新宇 ; 和致经 ; 刘键 ; 邵刚 ; 魏珂 ; 吴德馨 ; 王晓亮 ; 周钧铭 ; 陈宏 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 28期号:3页码:479-481 |
| 中文摘要 | 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V. |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17059]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓娟,刘新宇,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):479-481. |
| APA | 陈晓娟.,刘新宇.,和致经.,刘键.,邵刚.,...&陈宏.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),479-481. |
| MLA | 陈晓娟,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):479-481. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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