(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韦文生 ; 王天民 ; 张春熹 ; 李国华 ; 卢励吾 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:4页码:745-750 |
| 中文摘要 | 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. |
| 英文摘要 | 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:50导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4520.pdf: 686682 bytes, checksum: 153dc94d8993feb6470121df542bea2f (MD5) Previous issue date: 2005; 国家高技术研究发展计划,教育部高校博士点基金,国家自然科学基金,北京航空航天大学博士生基础性研究基金资助项目; 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划,教育部高校博士点基金,国家自然科学基金,北京航空航天大学博士生基础性研究基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17075]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦文生,王天民,张春熹,等. (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管[J]. 半导体学报,2005,26(4):745-750. |
| APA | 韦文生,王天民,张春熹,李国华,&卢励吾.(2005).(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管.半导体学报,26(4),745-750. |
| MLA | 韦文生,et al."(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管".半导体学报 26.4(2005):745-750. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。