缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩修训 ; 黎大兵
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| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 34期号:3页码:466-470 |
| 中文摘要 | 本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17091]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩修训,黎大兵. 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报,2005,34(3):466-470. |
| APA | 韩修训,&黎大兵.(2005).缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响.人工晶体学报,34(3),466-470. |
| MLA | 韩修训,et al."缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响".人工晶体学报 34.3(2005):466-470. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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