宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩 ; 朱洪亮
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:3页码:567-570 |
| 中文摘要 | 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17111]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩,朱洪亮. 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. 半导体学报,2005,26(3):567-570. |
| APA | 王圩,&朱洪亮.(2005).宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器.半导体学报,26(3),567-570. |
| MLA | 王圩,et al."宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器".半导体学报 26.3(2005):567-570. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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