部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李宁 ; 张国强 ; 刘忠立 ; 范楷 ; 郑中山 ; 林青 ; 张正选 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:2页码:349-353 |
| 中文摘要 | 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力. |
| 英文摘要 | 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4556.pdf: 298651 bytes, checksum: c76636cb174436ebfa28d32259a1e789 (MD5) Previous issue date: 2005; 中国科学院半导体研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17133]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李宁,张国强,刘忠立,等. 部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]. 半导体学报,2005,26(2):349-353. |
| APA | 李宁.,张国强.,刘忠立.,范楷.,郑中山.,...&林成鲁.(2005).部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应.半导体学报,26(2),349-353. |
| MLA | 李宁,et al."部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应".半导体学报 26.2(2005):349-353. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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