Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb∶YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang Yonggang ; Ma Xiaoyu ; Xue Yinghong ; Sun Hong ; Zhang Zhigang ; Wang Qingyue |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:2页码:250-253 |
| 中文摘要 | 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW. |
| 英文摘要 | 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:07导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4563.pdf: 318942 bytes, checksum: 9b42eac3a82826aeb14d9ffe3338492e (MD5) Previous issue date: 2005; Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences;Ultra fast Laser Laboratory, School of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering, Tianjin University |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17147]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Yonggang,Ma Xiaoyu,Xue Yinghong,et al. Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb∶YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror[J]. 半导体学报,2005,26(2):250-253. |
| APA | Wang Yonggang,Ma Xiaoyu,Xue Yinghong,Sun Hong,Zhang Zhigang,&Wang Qingyue.(2005).Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb∶YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror.半导体学报,26(2),250-253. |
| MLA | Wang Yonggang,et al."Passively Mode Locked Diode-End-Pumped Yb∶YAB Laser with High Reflectivity Type Semiconductor Saturable Absorption Mirror".半导体学报 26.2(2005):250-253. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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