AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王翠梅
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 25期号:1页码:35-41 |
| 中文摘要 | 简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 中科院创新工程重要方向性项目经费,国家自然科学基金重点项目,"973"项目,"863"项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17155]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王翠梅. AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展[J]. 固体电子学研究与进展,2005,25(1):35-41. |
| APA | 王翠梅.(2005).AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展.固体电子学研究与进展,25(1),35-41. |
| MLA | 王翠梅."AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展".固体电子学研究与进展 25.1(2005):35-41. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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