GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩勤 ; 彭红玲; 杨晓红
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| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 16期号:2页码:159-163 |
| 中文摘要 | 报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm~2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz. |
| 英文摘要 | 报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应.该器件在峰值响应波长1 296.5 nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11 nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15 A/μm~2,具有良好的暗电流特性.通过RC常数测量计算得到器件的3 dB带宽为4.82 GHz.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4570.pdf: 1095803 bytes, checksum: 80affbf3d22023f626295ff4fe327696 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家"847"计划资助项目; 北京邮电大学光通信中心;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家"847"计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17161]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩勤,彭红玲,杨晓红. GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器[J]. 光电子·激光,2005,16(2):159-163. |
| APA | 韩勤,彭红玲,&杨晓红.(2005).GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器.光电子·激光,16(2),159-163. |
| MLA | 韩勤,et al."GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器".光电子·激光 16.2(2005):159-163. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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