Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹志岗
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 11期号:1页码:15-18 |
| 中文摘要 | 采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性. |
| 英文摘要 | 采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:25导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4593.pdf: 478810 bytes, checksum: 3d1e2f375d43407f02c0d00397dce183 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17197]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹志岗. Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2005,11(1):15-18. |
| APA | 尹志岗.(2005).Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究.功能材料与器件学报,11(1),15-18. |
| MLA | 尹志岗."Mn注入 n型 Ge单晶的特性研究".功能材料与器件学报 11.1(2005):15-18. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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