温度导致GaN生长模式改变的机理
文献类型：会议论文
| 作者 | 蒋志敏; 方海生; 罗显刚; 尧青霞 |
| 出版日期 | 2015 |
| 会议名称 | 2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会 |
| 会议日期 | 2015 |
| 会议地点 | 大连 |
| 关键词 | GaN 金属有机物气相外延 生长模式 表面能 |
| 通讯作者 | hafang@hust.edu.cn |
| 学科主题 | 工业应用、换热器及其它 |
| 源URL | [http://ir.etp.ac.cn/handle/311046/107618]  |
| 专题 | 工程热物理研究所_中国工程热物理学会论文_会议论文 |
| 作者单位 | 华中科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋志敏,方海生,罗显刚,等. 温度导致GaN生长模式改变的机理[C]. 见:2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会. 大连. 2015. |
入库方式： OAI收割
来源：工程热物理研究所
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