非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡志华 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:1页码:34-37 |
| 中文摘要 | 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理,无须专用软件,使用Excel即可完成,适用于多种半导体薄膜材料.将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析. |
| 英文摘要 | 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序.这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系,所有公式均为解析表达式,便于进行数据处理,无须专用软件,使用Excel即可完成,适用于多种半导体薄膜材料.将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜,对其光学特性进行了分析.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4597.pdf: 286472 bytes, checksum: a6f9bee9b3c8e3afe7380ace6472b763 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展计划资助项目; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17205]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡志华,廖显伯. 非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征[J]. 半导体学报,2005,26(1):34-37. |
| APA | 胡志华,&廖显伯.(2005).非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征.半导体学报,26(1),34-37. |
| MLA | 胡志华,et al."非晶硅碳(a-SiC:H)薄膜光学常数的透射谱表征".半导体学报 26.1(2005):34-37. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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