SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 樊中朝 ; 陈少武
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| 刊名 | 中国科学. E辑， 技术科学
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 34期号:0页码:10 |
| 中文摘要 | SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型2×2热光波导光开关, 在此基础上首次研制出4×4和8(8 SOI平面集成波导光开关矩阵. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家"九七三"计划,"八六三"计划,国家自然科学重大基金,国家自然科学重点基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17223]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊中朝,陈少武. SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展[J]. 中国科学. E辑， 技术科学,2004,34(0):10. |
| APA | 樊中朝,&陈少武.(2004).SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展.中国科学. E辑， 技术科学,34(0),10. |
| MLA | 樊中朝,et al."SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展".中国科学. E辑， 技术科学 34.0(2004):10. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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