磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
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| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 24期号:2页码:154-156 |
| 中文摘要 | 采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家973资助项目,国家自然科学基金委员会资助项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17231]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究[J]. 真空科学与技术学报,2004,24(2):154-156. |
| APA | 杨少延.(2004).磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究.真空科学与技术学报,24(2),154-156. |
| MLA | 杨少延."磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究".真空科学与技术学报 24.2(2004):154-156. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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