ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 樊中朝 ; 陈少武
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:11页码:1500-1504 |
| 中文摘要 | 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导. |
| 英文摘要 | 研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4656.pdf: 323678 bytes, checksum: a918fef95417955b4812de9ebb88781d (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17279]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊中朝,陈少武. ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响[J]. 半导体学报,2004,25(11):1500-1504. |
| APA | 樊中朝,&陈少武.(2004).ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响.半导体学报,25(11),1500-1504. |
| MLA | 樊中朝,et al."ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响".半导体学报 25.11(2004):1500-1504. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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