1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 成步文
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:10页码:1291-1295 |
| 中文摘要 | 从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端. |
| 英文摘要 | 从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4660.pdf: 316202 bytes, checksum: b4d44d7f422e80653433056b31a41b5c (MD5) Previous issue date: 2004; 国家高技术研究发展计划,国家高技术研究发展计划; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划,国家高技术研究发展计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17287]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成步文. 1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计[J]. 半导体学报,2004,25(10):1291-1295. |
| APA | 成步文.(2004).1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计.半导体学报,25(10),1291-1295. |
| MLA | 成步文."1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计".半导体学报 25.10(2004):1291-1295. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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