火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 安俊明 ; 李健; 李健
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:6页码:496-498 |
| 中文摘要 | 用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶.在此GeO2-SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2-B2O3-SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶. |
| 英文摘要 | 用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O2的SiO2光波导材料.用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响.结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2-SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶.在此GeO2-SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2-B2O3-SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:50导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4671.pdf: 158191 bytes, checksum: 10e4cc8b96249c7f12db2e9de897332b (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17309]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安俊明,李健,李健. 火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究[J]. 半导体光电,2004,25(6):496-498. |
| APA | 安俊明,李健,&李健.(2004).火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究.半导体光电,25(6),496-498. |
| MLA | 安俊明,et al."火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究".半导体光电 25.6(2004):496-498. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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