低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹志岗 ; 杨少延
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1658-1661 |
| 中文摘要 | 对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因. |
| 英文摘要 | 对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:51导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4674.pdf: 304236 bytes, checksum: b134627c7d33cc91fc5c0137c38f2528 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17315]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹志岗,杨少延. 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究[J]. 半导体学报,2004,25(12):1658-1661. |
| APA | 尹志岗,&杨少延.(2004).低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究.半导体学报,25(12),1658-1661. |
| MLA | 尹志岗,et al."低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究".半导体学报 25.12(2004):1658-1661. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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