利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金鹏 ; 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:12页码:1647-1651 |
| 中文摘要 | 在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17319]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金鹏,徐波. 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J]. 半导体学报,2004,25(12):1647-1651. |
| APA | 金鹏,&徐波.(2004).利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点.半导体学报,25(12),1647-1651. |
| MLA | 金鹏,et al."利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点".半导体学报 25.12(2004):1647-1651. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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