低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:8页码:967-971 |
| 中文摘要 | 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性. |
| 英文摘要 | 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4690.pdf: 318844 bytes, checksum: 8a8f325a03f703ece9e7c741b7733d48 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17347]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体[J]. 半导体学报,2004,25(8):967-971. |
| APA | 杨少延.(2004).低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体.半导体学报,25(8),967-971. |
| MLA | 杨少延."低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体".半导体学报 25.8(2004):967-971. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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