高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 侯识华 ; 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:5页码:589-593 |
| 中文摘要 | 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17357]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯识华,陈良惠. 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响[J]. 半导体学报,2004,25(5):589-593. |
| APA | 侯识华,&陈良惠.(2004).高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响.半导体学报,25(5),589-593. |
| MLA | 侯识华,et al."高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响".半导体学报 25.5(2004):589-593. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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