GaN基肖特基结构紫外探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱建军 ; 王俊; 王俊; 赵德刚; 张书明; 金瑞琴
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:6页码:711-714 |
| 中文摘要 | 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs. |
| 英文摘要 | 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:04导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4700.pdf: 192253 bytes, checksum: b1e0457ad0fef42f325d54c26667115d (MD5) Previous issue date: 2004; 国家高技术研究发展计划资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17367]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱建军,王俊,王俊,等. GaN基肖特基结构紫外探测器[J]. 半导体学报,2004,25(6):711-714. |
| APA | 朱建军,王俊,王俊,赵德刚,张书明,&金瑞琴.(2004).GaN基肖特基结构紫外探测器.半导体学报,25(6),711-714. |
| MLA | 朱建军,et al."GaN基肖特基结构紫外探测器".半导体学报 25.6(2004):711-714. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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