光子存储单元的光伏效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卞松保 ; 李桂荣 ; 唐艳 ; 胡冰 ; 李月霞 ; 杨富华 ; 郑厚植 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 23期号:3页码:205-207 |
| 中文摘要 | 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映. |
| 英文摘要 | 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:13导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4715.pdf: 281699 bytes, checksum: 31b52ecfe02f68187c93e7fc7fa650da (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究计划,国家高技术发展研究计划资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究计划,国家高技术发展研究计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17397]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卞松保,李桂荣,唐艳,等. 光子存储单元的光伏效应[J]. 红外与毫米波学报,2004,23(3):205-207. |
| APA | 卞松保.,李桂荣.,唐艳.,胡冰.,李月霞.,...&郑厚植.(2004).光子存储单元的光伏效应.红外与毫米波学报,23(3),205-207. |
| MLA | 卞松保,et al."光子存储单元的光伏效应".红外与毫米波学报 23.3(2004):205-207. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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