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在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分

文献类型:期刊论文

作者周燕飞 ; 王锦昌 ; 唐连安 ; 陈诺夫 ; 陈万春
刊名无机材料学报
出版日期2004
卷号19期号:2页码:283-288
中文摘要掺Ce:Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mmx40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体
英文摘要掺Ce:Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mmx40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:25导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4738.pdf: 906564 bytes, checksum: e36b9fec45abb1beea61fdbe0794dc7e (MD5) Previous issue date: 2004; 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17443]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周燕飞,王锦昌,唐连安,等. 在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分[J]. 无机材料学报,2004,19(2):283-288.
APA 周燕飞,王锦昌,唐连安,陈诺夫,&陈万春.(2004).在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分.无机材料学报,19(2),283-288.
MLA 周燕飞,et al."在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分".无机材料学报 19.2(2004):283-288.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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