钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王海嵩 ; 杜国同 ; 崔宏峰 ; 许呈栋 ; 宋俊峰 ; 杜云 ; 陈弘达 ; 吴荣汉 |
| 刊名 | 中国激光
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 31期号:2页码:129-132 |
| 中文摘要 | 采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17545]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海嵩,杜国同,崔宏峰,等. 钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器[J]. 中国激光,2004,31(2):129-132. |
| APA | 王海嵩.,杜国同.,崔宏峰.,许呈栋.,宋俊峰.,...&吴荣汉.(2004).钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器.中国激光,31(2),129-132. |
| MLA | 王海嵩,et al."钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器".中国激光 31.2(2004):129-132. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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