SiC Schottky结反向特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尚也淳 ; 刘忠立 ; 王姝睿 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 52期号:1页码:211-216 |
| 中文摘要 | 对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的. |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17579]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚也淳,刘忠立,王姝睿. SiC Schottky结反向特性的研究[J]. 物理学报,2003,52(1):211-216. |
| APA | 尚也淳,刘忠立,&王姝睿.(2003).SiC Schottky结反向特性的研究.物理学报,52(1),211-216. |
| MLA | 尚也淳,et al."SiC Schottky结反向特性的研究".物理学报 52.1(2003):211-216. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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