Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨少延
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 52期号:6页码:1469-1473 |
| 中文摘要 | 采用离子束技术,在n型硅基片中注入稀土元素钆,制备了磁性-非磁性p-n结.磁性层Gd_xSi_(1-x)表现出优良的磁学性能,高居里温度,高原子磁矩(利用RKKY模型可以得到解释),低矫顽力,并保持着半导体的属性,磁性-非磁性p-n结具有整流特性,但没有观察到明显的磁电阻效应. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展项目 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17585]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究[J]. 物理学报,2003,52(6):1469-1473. |
| APA | 杨少延.(2003).Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究.物理学报,52(6),1469-1473. |
| MLA | 杨少延."Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究".物理学报 52.6(2003):1469-1473. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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