GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 38期号:4页码:474-477 |
| 中文摘要 | 用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结，通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0．5分子层Si夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。 |
| 英文摘要 | 用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结，通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0．5分子层Si夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:50导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4839.pdf: 179013 bytes, checksum: c48a397b39a4f3793fe9d85a9aa03550 (MD5) Previous issue date: 2002; 教育部高等学校骨干教师资助计划项目; 北京师范大学物理学系;中科院半导体所;北京师范大学分析测试中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 教育部高等学校骨干教师资助计划项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17611]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2002,38(4):474-477. |
| APA | 牛智川.(2002).GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究.北京师范大学学报. 自然科学版,38(4),474-477. |
| MLA | 牛智川."GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究".北京师范大学学报. 自然科学版 38.4(2002):474-477. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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