GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:2页码:168-172 |
| 中文摘要 | 用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。 |
| 英文摘要 | 用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4846.pdf: 219348 bytes, checksum: 828284df6b370a8c114b82f2688cf4ae (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金（批准号; 北京师范大学物理系;中国科学院半导体研究所;北京师范大学分析测试中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17625]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响[J]. 半导体学报,2003,24(2):168-172. |
| APA | 牛智川.(2003).GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响.半导体学报,24(2),168-172. |
| MLA | 牛智川."GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响".半导体学报 24.2(2003):168-172. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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