自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 量子电子学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 20期号:2页码:208-212 |
| 中文摘要 | 在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。 |
| 英文摘要 | 在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4858.pdf: 356828 bytes, checksum: c925c1621d62d599d6836b0345e873cb (MD5) Previous issue date: 2003; 厦门大学物理系;中国半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17649]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究[J]. 量子电子学报,2003,20(2):208-212. |
| APA | 牛智川.(2003).自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究.量子电子学报,20(2),208-212. |
| MLA | 牛智川."自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究".量子电子学报 20.2(2003):208-212. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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