ne-Si:H薄膜的内应力特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韦文生 ; 王天民 ; 张春熹 ; 李国华 ; 韩和相 ; 丁琨 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 9期号:3页码:285-290 |
| 中文摘要 | 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。 |
| 英文摘要 | 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4867.pdf: 356108 bytes, checksum: 406f31aa7a3a2b5df58818525c88f055 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目; 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290. |
| APA | 韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290. |
| MLA | 韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。