MTJ MRAM的特性分析与设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尚也淳 ; 刘忠立 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 23期号:2页码:229-235 |
| 中文摘要 | 对MTJ (磁隧道结）的GMR（巨磁阻）效应进行了分析。MTJ的结构、形态和工作条件会对GMR效应产生不同的影响。提出了一种4×1位MTJ MRAM（磁存储器）的电路结构，每个MRAM的存储单元由一个MTJ和一个MOSFET构成，用MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据，数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成MRAM数据的写入。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17669]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚也淳,刘忠立. MTJ MRAM的特性分析与设计[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):229-235. |
| APA | 尚也淳,&刘忠立.(2003).MTJ MRAM的特性分析与设计.固体电子学研究与进展,23(2),229-235. |
| MLA | 尚也淳,et al."MTJ MRAM的特性分析与设计".固体电子学研究与进展 23.2(2003):229-235. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。