GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘超
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 23期号:2页码:142-144 |
| 中文摘要 | 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。 |
| 英文摘要 | 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:01导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4869.pdf: 302102 bytes, checksum: fb406aba102cea4f798dd059a3944343 (MD5) Previous issue date: 2003; 中科院半导体所材料科学中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17671]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘超. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(2):142-144. |
| APA | 刘超.(2003).GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术.固体电子学研究与进展,23(2),142-144. |
| MLA | 刘超."GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术".固体电子学研究与进展 23.2(2003):142-144. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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