6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尚也淳 ; 张义门 ; 张玉明 ; 刘忠立 |
| 刊名 | 电子与信息学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 25期号:3页码:389-394 |
| 中文摘要 | 对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17699]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尚也淳,张义门,张玉明,等. 6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究[J]. 电子与信息学报,2003,25(3):389-394. |
| APA | 尚也淳,张义门,张玉明,&刘忠立.(2003).6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究.电子与信息学报,25(3),389-394. |
| MLA | 尚也淳,et al."6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究".电子与信息学报 25.3(2003):389-394. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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