与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙增辉 ; 陈弘达 ; 毛陆虹 ; 崔增文 ; 高鹏 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:3页码:255-259 |
| 中文摘要 | 采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等。结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件，在光互连等领域具有广阔的应用前景。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划（批准号：2 1AA312 8 ，2 2AA31224 ，2 1AA122 32）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ）资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17705]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙增辉,陈弘达,毛陆虹,等. 与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟[J]. 半导体学报,2003,24(3):255-259. |
| APA | 孙增辉,陈弘达,毛陆虹,崔增文,&高鹏.(2003).与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟.半导体学报,24(3),255-259. |
| MLA | 孙增辉,et al."与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟".半导体学报 24.3(2003):255-259. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。